หม้อแปลงไฟฟ้าเกตไดรฟ์เป็นพัลส์หม้อแปลงที่ใช้กันอย่างแพร่หลายในวงจรขับเคลื่อนเกท IGBT และ MOSFET

หม้อแปลงไดรฟ์เกตสำหรับ IGBT เป็นองค์ประกอบสำคัญในวงจรขับที่จ่ายพลังงานที่จำเป็นสำหรับการสลับและรักษาการแยกกัลวานิกที่ปลอดภัยระหว่างวงจรระดับกลางและด้านควบคุมแรงดันไฟฟ้าต่ำ

หม้อแปลงไดรฟ์เกตใช้เพื่อส่งพัลส์แรงดันเกตควบคุมระหว่างเดรนและแหล่งที่มาของ MOSFET ในขณะที่ให้การแยกระหว่าง MOSFET และวงจรควบคุมไดรฟ์

หม้อแปลงไดรฟ์เกตที่มีจำหน่ายทั่วไปของ Shinhom ช่วยให้การออกแบบวงจรไดรฟ์เกตของคุณง่ายขึ้น และลดรอบเวลาการออกแบบให้สั้นลง โดยทั่วไปการออกแบบของเราจะใช้แกนเฟอร์ไรต์ที่มีการซึมผ่านสูงเพื่อเพิ่มการเหนี่ยวนำแม่เหล็กให้สูงสุดและลดกระแสแม่เหล็กให้เหลือน้อยที่สุด ขนาดหม้อแปลงที่ต้องการจะพิจารณาจากผลคูณของโวลต์-ไทม์ของการใช้งาน ดังนั้นเกณฑ์การเลือกแรกสำหรับหม้อแปลงไดรฟ์เกตคือพิกัดผลิตภัณฑ์โวลต์ไทม์ (V-µsec) ตามที่แสดงในแผ่นข้อมูลหม้อแปลง ซึ่งจะต้องมากกว่าหรือเท่ากับผลิตภัณฑ์แรงดันไฟฟ้า-เวลาสูงสุดที่ใช้ซึ่งคาดว่าจะหลีกเลี่ยงความอิ่มตัวของแกนกลาง

กลุ่มผลิตภัณฑ์

1. พีซีบี ✉

2. ธุรกิจขนาดเล็ก ✉

1. ครอบครัว PCB ✉

หม้อแปลงเหล่านี้พันบนแกนเฟอร์ไรต์คุณภาพสูง

และมีไว้สำหรับการใช้งานที่หลากหลายมาก:

• การยิงไทริสเตอร์และไทรแอก;